Guía de números de referencia de HyperX

La siguiente información está pensada para ayudarte a identificar los módulos de memoria HyperX® de Kingston® según sus especificaciones

Número de referencia: HX429C15PB3AK2/32

  • HX
  • 4
  • 29
  • c
  • 15
  • p
  • b
  • 3
  • A
    • k2
    • /
    • 32
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HX = línea de productos
  • HX - HyperX
4 = tecnología
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
29 = velocidad
  • 13 - 1333
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 21 - 2133
  • 24 - 2400
  • 26 - 2666
  • 28 - 2800
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 33 - 3333
  • 34 - 3466
  • 36 - 3600
  • 40 - 4000
  • 41 - 4133
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
C = tipo de DIMM
  • C - UDIMM
  • S - SODIMM
15 = latencia CAS
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 12 - CL12
  • 13 - CL13
  • 14 - CL14
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
P = serie
  • F - FURY
  • S - Savage
  • B - Beast
  • P - Predator
  • I - Impact
B = disipador
  • En blanco - azul
  • B - negro
  • R - rojo
  • W - blanco
3 = revisión
  • 2 - 2.a revisión
  • 3 - 3.a revisión
  • 4 - 4.a revisión
A = RGB
  • En blanco - No RGB
  • A - RGB
K4 = kit + cantidad del kit
  • En blanco – módulo individual
  • K2 - kit de 2 módulos
  • K4 - kit de 4 módulos
  • K8 - kit de 8 módulos
32 = capacidad total
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB

Glosario

Capacidad

Número total de celdas de memoria de datos disponibles en un módulo expresado en gigabytes (GB). En el caso de los kits, la capacidad indicada hace referencia a la capacidad combinada de todos los módulos del kit.

Latencia CAS

Un número predeterminado de ciclos de reloj para la lectura/escritura de datos en o desde los módulos de memoria y el controlador de memoria. Una vez cargado el comando de lectura/escritura de datos y las direcciones de la fila/columna, la latencia CAS representa el tiempo de espera hasta que los datos estén listos.

DDR4

Tecnología de memoria de cuarta generación DDR (Double Data Rate) Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM), más conocida como “DDR4.” Los módulos de memoria DDR4 no son compatibles con las versiones anteriores de DDR SSDRAM debido a la menor tensión (1,2 V), a las diferentes configuraciones de patillas y a la tecnología incompatible de los chips de memoria.

Tipo DIMM

UDIMM (módulo doble de memoria en línea sin búfer ni corrección de errores) es un módulo de memoria de amplio formato con un ancho de datos de x64, más comúnmente utilizado en sistemas de PC donde no se requiere la corrección de errores y la capacidad de DIMM está restringida.

SODIMM (módulo doble de memoria en línea de contorno pequeño) es un módulo de memoria de formato reducido destinado a sistemas informáticos más pequeños, como ordenadores portátiles, servidores micro, impresoras o routers.

Kit

Un número de referencia que incluye varios módulos de memoria, habitualmente como soporte de arquitectura de memoria de canal doble, triple o cuádruple. Por ejemplo, K2 = 2 DIMM en el paquete para igualar la capacidad total.

Velocidad (también denominada frecuencia)

La velocidad de datos o la velocidad efectiva del reloj que admite un módulo de memoria, medida en Mhz (megahercios) o MT/s (megatransferencias por segundo). Cuanto mayor sea la velocidad, mayor será la cantidad de datos transferidos por segundo.

Tiempo de latencia

La información que se encuentra a continuación te ayudará a conocer cuáles son las diversas configuraciones que pueden ajustarse al establecer los tiempos de la memoria en el BIOS de la placa base para lograr un rendimiento óptimo. Ten en cuenta que estas configuraciones pueden variar en función de la marca/modelo de la placa base o de la versión de firmware del BIOS.

Ejemplo

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

Latencia CAS (CL): Retraso entre la activación de una fila y su lectura.

Retraso de RAS a CAS o de RAS a columna (tRCD): Activa la fila

Retraso de precarga de fila o retraso de precarga de RAS (tRP/tRCP): Desactiva la fila

Retraso de activación de fila (o retraso de activación de RAS, o tiempo para estar listo): Número de ciclos de reloj entre la activación y la desactivación de una fila.

Descargo de responsabilidad:Todos los productos HyperX se someten a pruebas para alcanzar nuestras especificaciones publicadas. Es posible que algunos sistemas o configuraciones de placas base no admitan los ajustes de tiempo y las velocidades de memoria de HyperX publicados. HyperX no recomienda a los usuarios que intenten hacer funcionar sus ordenadores con mayor rapidez de lo que dictan las velocidades publicadas. El overclocking o modificar los tiempos de su sistema puede resultar perjudicial para los componentes del ordenador.