HyperX製品番号デコーダー

このキーは、ご使用のHyperX®メモリモジュールのタイプを特定するのに役立ちます。

製品番号の例:HX429C15PB3AK2/32

  • HX
  • 4
  • 29
  • c
  • 15
  • p
  • b
  • 3
  • A
    • k2
    • /
    • 32
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HX = 製品ライン
  • HX - HyperX
4 = テクノロジー
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
29 = 速度
  • 13 - 1333
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 21 - 2133
  • 24 - 2400
  • 26 - 2666
  • 28 - 2800
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 33 - 3333
  • 34 - 3466
  • 36 - 3600
  • 40 - 4000
  • 41 - 4133
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
C = DIMMのタイプ
  • C - UDIMM
  • S - SODIMM
15 = CASレイテンシ
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 12 - CL12
  • 13 - CL13
  • 14 - CL14
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
P = シリーズ
  • F - FURY
  • S - Savage
  • B - Beast
  • P - Predator
  • I - Impact
B = ヒートスプレッダー
  • 空白 - ブルー
  • B - ブラック
  • R - レッド
  • W - ホワイト
3 = リビジョン
  • 2 - 第2リビジョン
  • 3 - 第3リビジョン
  • 4 - 第4リビジョン
A = RGB
  • 空白 - RGBなし
  • A - RGB
K4 = キット+枚数
  • 空白 – シングルモジュール
  • K2 - 2枚組キット
  • K4 - 4枚組キット
  • K8 - 8枚組キット
32 = 合計容量
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB

用語集

容量

モジュール上のメモリセルの合計数です(GB単位)。キットの場合、記載容量はキット内のすべてのモジュールの合計容量です。

CASレイテンシ

メモリモジュール上のデータアクセス時に最も重要となるレイテンシ(待機)遅延の1つです(クロックサイクル単位)。CASレイテンシは、データの読み取り、または書き込みコマンドが送信されてから、データの読み取りまたは書き込みの準備が整うまでの最終待機時間を表します。

DDR4

ダブルデータレート(DDR)SDRAMメモリの世代です。DDR3と同様にDDRメモリテクノロジーは絶えず進化を続け、さらなる高速化、低消費電力、放熱を実現しています。デュアルコアおよびクアッドコアプロセッサーを装備し、広い帯域幅を必要とするシステムに最適なメモリソリューションです。消費電力が低く、サーバーおよびモバイルの両プラットフォームに最適です。

キット

複数のメモリモジュールを含むシングルパッケージ。K2 = 2枚組。

周波数

メモリモジュールがサポートするデータレートまたはクロック速度。

DIMMのタイプ

UDIMM (Unregistered Dual In-line Memory Module)。これは、デスクトップパソコンとノートパソコンのほとんどで使用されるメモリタイプです。一般に、アンバッファードメモリと呼ばれます。

SODIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module)は集積回路を使用して作られるメモリタイプです。SODIMMは小型の選択肢であり、小型システムで使用される場合があります。

レイテンシタイミング

以下の情報は、最適なパフォーマンスを追求するためにマザーボードBIOSでメモリタイミングを設定する際に調節可能なさまざまな設定です。この設定は、マザーボードのメーカー、モデル、BIOSファームウェアバージョンによって変わることに注意してください。

サンプルタイミング

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

CAS レイテンシ(CL):行をアクティブにしてから読み取るまでの遅延。

RAS to CAS(またはRAS to Column Delay) (tRCD):行をアクティブにする

Row Precharge Delay(またはRAS Precharge Delay) (tRP/tRCP):行を非アクティブにする

Row Active Delay(またはRAS Active Delay、time to ready):行をアクティブにし、非アクティブにするまでのクロックサイクル数。

注:すべてのHyperX製品はテストされ、公称仕様を満たしています。一部のシステムまたはマザーボード構成は、HyperXメモリの公称速度とタイミング設定で動作しない場合があります。HyperXは、公称速度よりも高速でコンピューターを稼働させようとするあらゆるユーザーの試みを推奨しません。オーバークロックまたはシステムタイミングの変更の結果、コンピューターコンポーネントに損害を与える可能性があります。