HyperX製品番号デコーダー

以下の情報は、 Kingston® HyperX® メモリモジュールを仕様によって識別するためのものです。

製品番号:HX429C15PB3AK2/32

  • HX
  • 4
  • 29
  • c
  • 15
  • p
  • b
  • 3
  • A
  • k2
  • /
  • 32
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HX = 製品ライン
  • HX - HyperX
4 = テクノロジー
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
29 = 速度
  • 13 - 1333
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 21 - 2133
  • 24 - 2400
  • 26 - 2666
  • 28 - 2800
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 33 - 3333
  • 34 - 3466
  • 36 - 3600
  • 40 - 4000
  • 41 - 4133
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
C = DIMMのタイプ
  • C - UDIMM
  • S - SODIMM
15 = CASレイテンシ
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 12 - CL12
  • 13 - CL13
  • 14 - CL14
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
P = シリーズ
  • F - FURY
  • S - Savage
  • B - Beast
  • P - Predator
  • I - Impact
B = ヒートスプレッダー
  • 空白 - ブルー
  • B - ブラック
  • R - レッド
  • W - ホワイト
3 = リビジョン
  • 2 - 第2リビジョン
  • 3 - 第3リビジョン
  • 4 - 第4リビジョン
A = RGB
  • 空白 - RGBなし
  • A - RGB
K4 = キット+枚数
  • 空白 – シングルモジュール
  • K2 - 2枚組キット
  • K4 - 4枚組キット
  • K8 - 8枚組キット
32 = 合計容量
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB

用語集

容量

モジュール上で使用可能なデータメモリセルの合計数は、ギガバイト(GB)で表現されます。キットの場合、記載容量はキット内のすべてのモジュールを組み合わせた容量です。

CASレイテンシ

メモリーモジュールとメモリコントローラーとのデータの読み取り/書き込みに関する標準の規定クロックサイクル数。CASレイテンシは、データの読み取り/書き込みコマンドと行/列のアドレスがロードされ、データの準備が整うまでの待機時間を表します。

DDR4

DDR(ダブルデータレート)シンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)第4世代メモリテクノロジー。通常、「DDR4」と呼ばれます。DDR4メモリモジュールは、電圧が低く(1.2V)、ピンの構成が異なり、メモリチップテクノロジーに互換性がないため、前世代のDDR SDRAM との後方互換性はありません。

DIMMのタイプ

UDIMM(非ECCアンバッファードデュアルインラインメモリモジュール)は、データ幅がx64のロングフォームファクターメモリモジュールです。エラー訂正が不要でDIMM容量が制限されているデスクトップシステムで最も一般的に使用されます。

SODIMM(スモールアウトラインデュアルインラインメモリモジュール)は、ノートパソコンやマイクロサーバー、プリンター、ルーターなどの小型コンピューターシステム向きの小型化されたフォームファクターメモリモジュールです。

キット

複数のメモリモジュールを含み、通常、デュアル、トリプル、またはクアッドチャネルメモリアーキテクチャをサポートする製品番号です。たとえばK2の場合、合計容量に等しくなる2枚のDIMMがパッケージに含まれます。

速度(または周波数)

メモリモジュールがサポートするデータレート、つまり有効なクロック速度。単位はMHz(メガヘルツ)またはMT/秒(メガトランスファー毎秒)です。高速になるほど、1秒あたりの転送可能データが大きくなります。

レイテンシタイミング

以下の情報は、最適なパフォーマンスを追求するためにマザーボードBIOSでメモリタイミングを設定する際に調節可能なさまざまな設定です。この設定は、マザーボードのメーカー、モデル、BIOSファームウェアバージョンによって変わることに注意してください。

サンプル

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

CAS レイテンシ(CL):行をアクティブにしてから読み取るまでの遅延。

RAS to CAS(またはRAS to Column Delay) (tRCP):行をアクティブにする

Row Precharge Delay(またはRAS Precharge Delay) (tRP/tRCP):行を非アクティブにする

Row Active Delay(またはRAS Active Delay、time to ready):行をアクティブにし、非アクティブにするまでのクロックサイクル数。

免責事項:すべてのHyperX製品はテストされ、公称仕様を満たしています。一部のシステムまたはマザーボード構成は、HyperXメモリの公称速度とタイミング設定で動作しない場合があります。HyperXは、公称速度よりも高速でコンピューターを稼働させようとするあらゆるユーザーの試みを推奨しません。オーバークロックまたはシステムタイミングの変更の結果、コンピューターコンポーネントに損害を与える可能性があります。